Samsung නිවේදනය කරන්නේ තමන් 3-nanometre chips පත් නිෂ්පාදනය ආරම්භ කල බවය. දියුනු කල performance හැකියාවක් සමග අඩු power භාවිතාවක් ලබන මෙම නිකුතුවේදී Gate-All-Around transistor තාක්ෂණය භාවිතා වන බවට පැහැදිලි කරනවා. මෙම 3 nm chips වල පලමු generation වලදී බල වැය 45% කින් අඩු කරන්නටත් performance හැකියාව 23%කින් ඉහල දමන්නටත් සමත්වූ බවට පැවසෙනවා. එසේම Samsung ආයතනය පවසන්නේ තම second-gen 3 nm chips වලදී බල වැය 50% කින් අඩුකරන්නටත් performance හැකියාව 30% ඉහලට ගෙනෙන්නට මෙන්ම ප්‍රමානය 35% ඉන් අඩු කරන්නටත් සැලසුම ඇති බවයි. කෙසේ වෙතත් තවමත් Samsung ආයතනය තම නිකුතූන් සමන්විතවන දුරකථන නිකුතූන් පිලිබඳව තොරතුරු හෙලිකර නොමැත.
Pubudu Siriwansa
